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Número de pieza(s) : HYB514400BJL-50
Siemens AG
componentes Descripción : 1M x 4-Bit Dynamic RAM Low Power 1M x 4-Bit Dynamic RAM
Número de pieza(s) : HYB514400BJL-60 HYB514400BTL-60 HYB514400BT-70 HYB514400BJ-70 HYB514400BJL-70 HYB514400BJ-80 HYB514400BT-80 HYB514400BJL-80 HYB514400BTL-80 HYB514400BJ-BT60
Infineon Technologies
componentes Descripción : 1M x 4-Bit Dynamic RAM Low Power 1M x 4-Bit Dynamic RAM
Número de pieza(s) : Q67100-Q751 HYB514400BT-70 HYB514400BT-60 HYB514400BJL-80 HYB514400BJL-70 HYB514400BJL-60 HYB514400BJ-BT60 HYB514400BJ-70 HYB514400BJ-80 Q67100-Q750
Siemens AG
componentes Descripción : 1M x 4-Bit Dynamic RAM Low Power 1M x 4-Bit Dynamic RAM
Número de pieza(s) : NN514256 NN514256A NN514256P-40 NN514256P-45 NN514256P-50 NN514256P-60 NN514256P-70 NN514256J-40 NN514256J-45 NN514256J-50
Unspecified
componentes Descripción : Fast Page Mode CMOS 256k x 4Bit Dynamic RAM
Número de pieza(s) : NN5118160 NN5118160A NN5118160AJ-50 NN5118160AJ-60 NN5118160AJ-70 NN5118160ALJ-50 NN5118160ALJ-60 NN5118160ALJ-70 NN5118160ALRR-50 NN5118160ALRR-60
Unspecified
componentes Descripción : Fast Page Mode CMOS 1M x 16bit Dynamic RAM
Número de pieza(s) : MH1V36CAM-6 MH1V36CAM-7
MITSUBISHI ELECTRIC
componentes Descripción : FAST PAGE MODE 37748736-BIT ( 1048576-WORD BY 36-BIT ) Dynamic RAM
Número de pieza(s) : LH6V4256D-10 LH6V4256K-10 LH6V4256T-10 LH6V4256
Sharp Electronics
componentes Descripción : CMOS 1M(256K x 4) Dynamic RAM
Número de pieza(s) : MCM32100 MCM32100S10 MCM32100SG10 MCM32L100S10 MCM32L100SG10 MCM32100S80 MCM32100SG80 MCM32L100 MCM32L100S80 MCM32L100SG80
Motorola => Freescale
componentes Descripción : 1M x 32 Bit Dynamic Random Access Memory Module
Número de pieza(s) : K4E640412E K4E640412E-JI45 K4E640412E-JI50 K4E640412E-JI60 K4E640412E-JP45 K4E640412E-JP50 K4E640412E-JP60 K4E640412E-TI45 K4E640412E-TI50 K4E640412E-TI60
Samsung
componentes Descripción : 16M x 4Bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out
Número de pieza(s) : VI-RAM VI-RAM-E1 VI-RAM-C1 VI-RAM-I1 VI-RAM-M1 VI-RAM-E2 VI-RAM-C2 VI-RAM-I2 VI-RAM-M2
Vicor
componentes Descripción : Ripple Attenuator Modules
Número de pieza(s) : K4E660412D K4E640412D
Samsung
componentes Descripción : 16M x 4Bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out (Rev - V2)
Número de pieza(s) : Q67100-Q2010 HYM321160S-70 HYM321160GS-70 HYM321160S-60 HYM321160S HYM321160GS-60 HYM321160GS Q67100-Q2009
Siemens AG
componentes Descripción : 1M x 32-Bit Dynamic RAM Module (2M x 16-Bit Dynamic RAM Module)
Número de pieza(s) : MCM40100 MCM40100S10 MCM40100S80 MCM40100SG10 MCM40100SG80 MCM40L100 MCM40L100S10 MCM40L100S80 MCM40L100SG10 MCM40L100SG80
Motorola => Freescale
componentes Descripción : 1M x 40 Bit Dynamic Random Access Memory Module
Número de pieza(s) : HYB5116160BSJ-70 HYB5116160BSJ-60 HYB5116160BSJ-50 HYB5116160BSJ
Siemens AG
componentes Descripción : 1M x 16-Bit Dynamic RAM (4k-Refresh)
Número de pieza(s) : MI-RAM MI-RAM-M1 MI-RAM-M2 MI-RAM-I1 MI-RAM-I2
Vicor
componentes Descripción : Military Ripple Attenuator Modules
Número de pieza(s) : K4E160411D K4E160411D-B K4E160411D-F K4E160412D K4E160412D-B K4E160412D-F K4E170411D K4E170411D-B K4E170411D-F K4E170412D
Samsung
componentes Descripción : 4M x 4Bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out
Número de pieza(s) : K4E640411D K4E640411D-JC K4E640411D-TC K4E660411D-TC K4E640411D-JC50 K4E640411D-TC50 K4E660411D-JC50 K4E660411D-TC50 K4E640411D-J K4E640411D-JC60
Samsung
componentes Descripción : 16M x 4Bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out
Número de pieza(s) : K4E660412D K4E660412D-JC/L K4E640412D K4E640412D-JC/L K4E660412D-TC/L K4E640412D-TC/L
Samsung
componentes Descripción : 16M x 4Bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out
Número de pieza(s) : HYB5118160BSJ-70 Q67100-Q1074
Infineon Technologies
componentes Descripción : 1M x 16-Bit Dynamic RAM (1k-Refresh)
Número de pieza(s) : Q67100-Q756 HYB514400BJ-60 HYB514400BJ HYB514400BJ-50- HYB514400BJ-50 Q67100-Q973
Siemens AG
componentes Descripción : 1M × 4-Bit Dynamic RAM